采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：0609
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN-F40
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
