采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53879}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB75UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB75UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB75UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
