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    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:1.2A€2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT1D3N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT1D3N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT1D3N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19600pF@40V

    连续漏极电流:164A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@36A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@40V

    连续漏极电流:16.9A€58.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订12000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订12000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC100N08Y-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC100N08Y-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5469pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCAC100N08Y-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC100N08Y-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5469pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT1D3N08B 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT1D3N08B 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT1D3N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19600pF@40V

    连续漏极电流:164A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@36A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@40V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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