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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@40V

    连续漏极电流:2.1A€3A

    类型:P沟道

    导通电阻:164mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT700P08D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1591pF@40V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2202

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA037N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@40V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC340N08NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC340N08NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC340N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€32W

    阈值电压:3.5V@12µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@40V

    连续漏极电流:7A€23A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0602NLSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0602NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@40V

    连续漏极电流:14A€66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":12686}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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