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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
输入电容：2154pF@100V
导通电阻：99mΩ@21A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：37A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：1666pF@40V
阈值电压：3.8V@250µA
功率：5W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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