采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W€78W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2162pF@40V
连续漏极电流：24A€78A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1452}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1452}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1666pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
