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    栅极电荷: 83nC@10V
    行业应用: 汽车
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:51A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订436个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订436个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6115pF@13V

    连续漏极电流:40A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:51A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7944}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800152DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@75V

    连续漏极电流:13A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6115pF@13V

    连续漏极电流:40A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT22N50L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT22N50L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT22N50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3710pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7944}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800152DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@75V

    连续漏极电流:13A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT22N50L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT22N50L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT22N50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3710pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFA80N25X3 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA80N25X3 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:51A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800152DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@75V

    连续漏极电流:13A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250DTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6115pF@13V

    连续漏极电流:40A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFA80N25X3 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA80N25X3 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ80N25X3 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ80N25X3 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:51A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA32DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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