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    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF650N80Z 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF650N80Z 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF650N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:4.5V@800µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1565pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4105TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4105TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4105TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A 起订12个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A 起订12个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC159N10LSF G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1 起订261个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1 起订261个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N50CF 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N50CF 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1030pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP38N30X3M 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP38N30X3M 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP38N30X3M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2440pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R125C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R125C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R125C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:4V@440µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT 起订584个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT 起订584个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N25CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR424DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR424DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR424DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6354 起订21个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6354 起订21个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6354

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@15V

    连续漏极电流:83A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF650N80Z 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF650N80Z 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF650N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:4.5V@800µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1565pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF18NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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