品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4105TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:16A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:9.4A€63A
类型:N沟道
导通电阻:15.9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:16A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR424DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR36366
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@15V
连续漏极电流:30A€34A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:15A€47A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD95R450P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@360µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1053pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: