销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030MNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":154}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB150N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1985pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R280C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R199CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP16N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: