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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):917psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1640pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1350pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4424A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.8V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306A 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306A 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P 起订1649个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P 起订1649个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD210PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNX 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNX 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK46N50L 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK46N50L 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK46N50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@15V

    包装方式:散装

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,20V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC642P 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC642P 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0080120D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:950pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC855N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:655pF@15V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0124A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0124A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0124A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:160mA

    类型:N沟道

    导通电阻:16Ω@250mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS107P 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS107P 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS107P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    包装方式:散装

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:30Ω@100mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD220PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@480mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545A 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545A 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0545A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:70pF@25V

    连续漏极电流:90mA

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@100mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905L 起订159个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905L 起订159个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":187,"18+":1077}

    包装规格(MPQ):132psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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