品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
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类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
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规格型号(MPN):IRFD210PBF
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功率:1W
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类型:N沟道
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工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
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规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
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连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:散装
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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包装方式:散装
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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