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    当前匹配商品:1800+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V€631pF@15V

    连续漏极电流:6A€4.2A

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D5N03 起订282个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D5N03 起订282个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D5N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:63nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9690pF@15V

    连续漏极电流:218A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:282
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V€631pF@15V

    连续漏极电流:6A€4.2A

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87502Q2 起订3000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87502Q2 起订3000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87502Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32.4mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3406L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3406L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3406L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:495pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:579
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:834
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LNS-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LNS-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3016LNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V

    连续漏极电流:9A€6.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1267
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    AOS Mosfet场效应管 AON6500
    AOS Mosfet场效应管 AON6500

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7036pF@15V

    连续漏极电流:71A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3015LSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3015LSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:60.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2748pF@20V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO301SPHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO301SPHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4385,"MI+":2125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1069
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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