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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BK,215 起订82个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BK,215 起订82个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7495,"9999":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订62个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订62个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订87个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订87个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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