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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.6V@250µA
    类型: P沟道
    当前匹配商品:60+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5499,"22+":801}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订481个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订481个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5499,"22+":801}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447AL 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447AL 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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