品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N-Channel
输入电容:6560pF@25V
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N-Channel
输入电容:6560pF@25V
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:6560pF@25V
阈值电压:3.9V@150µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7004TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:194nC@10V
连续漏极电流:100A
输入电容:6419pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.1W€120W
类型:N沟道
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
栅极电荷:16nC@4.5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:13900pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:195nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N-Channel
输入电容:6560pF@25V
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7004TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:194nC@10V
连续漏极电流:100A
输入电容:6419pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:13900pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:195nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7004TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:194nC@10V
连续漏极电流:100A
输入电容:6419pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:13900pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:195nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3203,"24+":1270}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7004TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:194nC@10V
连续漏极电流:100A
输入电容:6419pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N-Channel
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.1W€120W
类型:N沟道
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
栅极电荷:16nC@4.5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:116.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:2.3W
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:6771pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: