品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5322K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":18655}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":343141}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
栅极电荷:4.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107PSTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107PSTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: