采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3030LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3069L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：8.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3499DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：750mV@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0030TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@25µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：382pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
