采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：118，"23+"：1395}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7230
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
