采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：19798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP299L6327HUSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D9UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
