品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFDQ-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:400mA
输入电容:39pF@3V
功率:280mW
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
ECCN:EAR99
类型:2N沟道(双)共源
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:400mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:39pF@3V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:100pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:400mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:39pF@3V
功率:280mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
类型:2N沟道(双)共源
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
输入电容:51pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.3nC@10V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: