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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
