采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
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功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：360mW
连续漏极电流：160mA
阈值电压：2V@1mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
漏源电压：500V
导通电阻：30Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：160mA
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：190pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
