品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.8V@36µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N04A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1128,"22+":3000,"23+":28655,"24+":3000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS015N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€108.7W
阈值电压:4.5V@162µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@75V
连续漏极电流:9.2A€61A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@29A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.8V@36µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14758,"24+":3196}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ088N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS015N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€108.7W
阈值电压:4.5V@162µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@75V
连续漏极电流:9.2A€61A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@29A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4174DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: