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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    功率: 2.5W€96W
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC020N03LSGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC020N03LSGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4765pF@40V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订564个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订564个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3338,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0300S 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0300S 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0300S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@15V

    连续漏极电流:31A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7556S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7556S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7556S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8965pF@13V

    连续漏极电流:35A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86310 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86310 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86310

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@40V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@17A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86310 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86310 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86310

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@40V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@17A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4765pF@40V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0300S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0300S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0300S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@15V

    连续漏极电流:31A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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