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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
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规格型号(MPN)：FDMS7556S
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功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
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输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7556S
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7556S
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
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阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
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连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：21000}
规格型号(MPN)：FDMS7556S
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：25V
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
功率：2.5W€96W
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
栅极电荷：126nC@10V
连续漏极电流：41A€100A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
功率：2.5W€96W
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：5800pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
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输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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