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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    功率: 2.1W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:50+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

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    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

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    功率:2.1W

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    类型:P沟道

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    库存:

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    类型:P沟道

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    库存:

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

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    类型:P沟道

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

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    栅极电荷:17nC@10V

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    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

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    类型:P沟道

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    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    功率:2.1W

    栅极电荷:17nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:879pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    输入电容:560pF@15V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AO6409
    AOS Mosfet场效应管 AO6409

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

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    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO6409
    AOS Mosfet场效应管 AO6409

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6409
    AOS Mosfet场效应管 AO6409

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A
    AOS Mosfet场效应管 AO6409A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2475pF@6V

    连续漏极电流:26A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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