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    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75301W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCM2301-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCM2301-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCM2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:515mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:79mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:536pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD6P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@16V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PNTMA1 起订893个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PNTMA1 起订893个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO211PNTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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