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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:27A€60A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5W€38W

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    输入电容:1470pF@15V

    栅极电荷:32nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.6A

    输入电容:140pF@5V

    功率:420mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:10.5nC@10V

    输入电容:479pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3

    连续漏极电流:30A€60A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5W€43W

    导通电阻:3.6mΩ@10A,10V

    输入电容:1710pF@15V

    栅极电荷:36.2nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16.2A€40.5A

    栅极电荷:25.5nC@10V

    功率:3.2W€19.8W

    ECCN:EAR99

    输入电容:985pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:38.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6204 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6204 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6204

    输入电容:670pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:10nC@10V

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.9W€31W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6366E

    功率:46W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:80nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:34A

    输入电容:3020pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4466SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    功率:1.42W

    类型:N沟道

    输入电容:478.9pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:60A

    输入电容:1535pF@15V

    功率:34.7W

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:14.7W

    连续漏极电流:30.6A

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA88DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA88DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA88DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:12.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:25W

    连续漏极电流:45.5A

    输入电容:985pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON3414 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON3414 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3414

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:690pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    输入电容:570pF@15V

    功率:3.5W€19W

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.6A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:140pF@5V

    功率:420mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:37.8A

    功率:19W

    输入电容:1290pF@15V

    栅极电荷:16nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.4mΩ@11A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N-Channel

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:2730pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:30.5A

    功率:3W€6.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.6A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:140pF@5V

    功率:420mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@15V

    漏源电压:30V

    栅极电荷:111nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:60A

    功率:54.3W

    导通电阻:1.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:38.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    功率:2.5W€5.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    功率:2.5W€5.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    功率:43W

    输入电容:1873pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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