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    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 12V
    类型: 2个P沟道(双)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":16318}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7329TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@9.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7329TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@9.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":422,"23+":2860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6316P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@6V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:270mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1055UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1028pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1055UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1028pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1055UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1028pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7329TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7329TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@9.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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