品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
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输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
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包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):R6009KNX
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
类型:N沟道
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
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导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
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包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: