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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@112µA

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@60V

    连续漏极电流:12A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订267个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订267个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@112µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@60V

    连续漏极电流:12A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN1206L-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN1206L-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN1206L-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N12NS3GATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@60V

    连续漏极电流:8.6A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@39A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@112µA

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@60V

    连续漏极电流:12A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC080N12LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@112µA

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@60V

    连续漏极电流:12A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86202 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86202

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@60V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3224pF@60V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC077N12NS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@60V

    连续漏极电流:13.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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