品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3224pF@60V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: