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    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R041CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R041CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.24mA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4975pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@24.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2710

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4354pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCG-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCG-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N06NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N06NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50N10Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50N10Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2808pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@1.24mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4340pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R010S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R010S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):750psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDQ60R010S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@3.08mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:318nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11987pF@300V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ50N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ50N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ50N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:78nC@10V

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R040C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R040C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R040C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@1.24mA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4340pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R041CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R041CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R041CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.24mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4975pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@24.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N20 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N20 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:19+

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@4mA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@25A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFT50N85XHV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT50N85XHV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFT50N85XHV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4480pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@500mA,10V

    漏源电压:850V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ50N50P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ50N50P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ50N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4335pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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