采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AON7140
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功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AON7140
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功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
功率：46W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
输入电容：3350pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
连续漏极电流：50A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
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