品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):50N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2928pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):40N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2928pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR414DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):50N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2928pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: