品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:95nC@10V
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