品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2323CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL211SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:654pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6000,"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB48EPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:670mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":7960}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQD6866R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@16V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6000,"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB48EPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: