采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
