品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090D
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@5mA
栅极电荷:30.4nC@15V
包装方式:管件
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:347W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2040pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R060CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@860µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3288pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@16.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN36N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:380nC@10V
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW90R120C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.5V@2.9mA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@26A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1829pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3M
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N20X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF36N60NT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090D
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@5mA
栅极电荷:30.4nC@15V
包装方式:管件
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R060CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@860µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3288pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@16.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP36N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: