销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCPF07N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP7N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF7S65
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:434pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R225C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:4V@240µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@8A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: