采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
