采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18901，"21+"：283，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
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输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：855}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：855}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18901，"21+"：283，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18901，"21+"：283，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF13N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1930pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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