采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4576
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：951pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB190N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB190N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
