采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：231W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：640}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：640}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
