采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2290
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：482pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.8W
阈值电压：3.5V@80µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2290
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：67500，"23+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2290
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.8W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：482pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
