采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：340mA
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：340mA
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
连续漏极电流：0.47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8L-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
连续漏极电流：340mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8L-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0606L-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
功率：1W
类型：N沟道
连续漏极电流：330mA
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.47A
类型：N-Channel
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.47A
类型：N-Channel
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.47A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.47A
类型：N-Channel
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
