品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:27A€60A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€38W
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
输入电容:1470pF@15V
栅极电荷:32nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:1.6A
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024SFG-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:900mW
栅极电荷:10.5nC@10V
输入电容:479pF@15V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€43W
导通电阻:3.6mΩ@10A,10V
输入电容:1710pF@15V
栅极电荷:36.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:16.2A€40.5A
栅极电荷:25.5nC@10V
功率:3.2W€19.8W
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:38.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:15.3A€38.3A
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6204
输入电容:670pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€24A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:12mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.9W€31W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
输入电容:3020pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
功率:1.42W
类型:N沟道
输入电容:478.9pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
输入电容:1535pF@15V
功率:34.7W
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:14.7W
连续漏极电流:30.6A
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA88DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:12.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:25W
连续漏极电流:45.5A
输入电容:985pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:10.5A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:570pF@15V
功率:3.5W€19W
导通电阻:18mΩ@9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:37.8A
功率:19W
输入电容:1290pF@15V
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.4mΩ@11A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2730pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30.5A
功率:3W€6.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@15V
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
功率:54.3W
导通电阻:1.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:38.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
功率:2.5W€5.7W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
功率:2.5W€5.7W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
功率:43W
输入电容:1873pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: