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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 100A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1500+
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    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC036NE7NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:3.8V@110µA

    栅极电荷:63.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC036NE7NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:3.8V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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