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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
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功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
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功率：1.5W
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连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.5W
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
功率：1.45W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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