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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMS
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：39000，"15+"：125229}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB2307NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1002UCA6-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1033UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
